发明名称 Optical modulating device having gate structure
摘要 광 변조 소자는 가변 유전율을 가지는 유전율 변화층; 상기 유전율 변화층 상에 배치된 유전체층; 상기 유전체층 상에 배치된 나노안테나; 및 상기 유전율 변화층과 인접 배치된 발광 구조체;를 포함한다. 외부 신호에 따라 유전율 변화층에 형성되는 활성 영역이 게이트 역할을 하며 광 변조 및 발광 성능을 제어할 수 있다.
申请公布号 KR20170013147(A) 申请公布日期 2017.02.06
申请号 KR20160007548 申请日期 2016.01.21
申请人 삼성전자주식회사;캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 发明人 한승훈;소코얀 루잔;앳워터 해리;카파이 가잘레;팔라 라깁;루 유정;리 호웨이;황 야오웨이;티야가라얀 크리시난
分类号 G02F1/01;B82Y20/00;G02B5/00;H01L29/06;H01L29/12;H01L33/06 主分类号 G02F1/01
代理机构 代理人
主权项
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