| 摘要 |
【課題】シリカガラスルツボのコーナー部においてもシリコン単結晶の引き上げを適切に行うことが可能なシリコン単結晶の製造方法の提供。【解決手段】シリカガラスルツボ１１の内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボ１１の内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して２つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、２つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって、内部測距部と内表面の間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と内表面距離を関連付けることによって予め求めておいたシリカガラスルツボ内表面の三次元形状分布から、コーナー部１１ｂでの液面２３ａの下降速度を高精度に予測し、その予測内容に基づいてシリコン単結晶の引き上げ速度などの引き上げ条件を決定する。【選択図】図１ |
