发明名称 半導体装置
摘要 【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有すればよい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028298(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20160172440 申请日期 2016.09.05
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;坂田 淳一郎;三宅 博之;桑原 秀明
分类号 H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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