发明名称 Compound semiconductor thermoelectric material and manufacturing method thereof
摘要 우수한 파워 팩터 및 ZT 값을 가짐으로써 열전 변환 성능이 우수하며, 특히 저온에서 열전 변환 성능이 뛰어난 화합물 반도체 열전 재료와 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 열전 모듈이나 열전 발전 장치, 열전 냉각 장치 등을 제공한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 열전 재료는, n형 화합물 반도체 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내에 분산되어 있고 상기 매트릭스와는 이종의 화합물 반도체이며 평균 입경 1㎛ 내지 100㎛인 n형 입자를 포함한다.
申请公布号 KR20170011159(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 KR20150103215 申请日期 2015.07.21
申请人 주식회사 엘지화학 发明人 권오정;최현우;임병규;정명진;박철희
分类号 H01L35/12;H01L35/02;H01L35/16;H01L35/18;H01L35/34 主分类号 H01L35/12
代理机构 代理人
主权项
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