发明名称 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物
摘要 【課題】再配線形成された半導体装置を薄型化させながら効率よく製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】この半導体装置の製造方法では、封止工程において半導体素子3の封止及び第1の絶縁層4の形成を一括で行いながら、剥離工程において半導体素子3の反対面S2を容易に露出することができる。よって、従来の半導体装置の製造方法と比較して、再配線形成された半導体装置100を薄型化させながら効率よく製造できる。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028316(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20160201654 申请日期 2016.10.13
申请人 日立化成株式会社 发明人 鳥羽 正也;蔵渕 和彦;名越 俊昌
分类号 H01L23/12;G03F7/004;G03F7/027;G03F7/20;G03F7/38;H01L21/56;H01L23/14;H01L23/29;H01L23/31;H05K3/28 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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