发明名称 拡散層を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子
摘要 【課題】複雑な工程を必要とせず簡便な方法で、ドナー拡散領域におけるシート抵抗値のバラつきを抑えることが可能な、拡散層を有する半導体基板の製造方法の提供。【解決手段】拡散層を有する半導体基板の製造方法は、半導体基板上の少なくとも一部に、ドナー元素を含むドナーガラス粒子及び分散媒を含有するn型拡散層形成組成物を付与する工程と、前記半導体基板上の前記ドナーガラス粒子を軟化する軟化工程と、前記半導体基板にn型拡散層を形成する熱処理工程と、をこの順に行い、前記軟化工程を、700℃未満の雰囲気で行なう。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028123(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150145773 申请日期 2015.07.23
申请人 日立化成株式会社 发明人 清水 麻理;野尻 剛;倉田 靖;田中 直敬;岩室 光則;織田 明博;佐藤 鉄也
分类号 H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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