| 摘要 |
발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드는 측벽들에 {111}면들이 노출된 다면체인 다수의 철부들과 이들에 의해 정의된 요부들을 포함하는 실리콘 기판을 포함한다. 상기 철부들 상에 버퍼층이 배치된다. 상기 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 차례로 배치된다. 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극이 배치된다. 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극이 배치된다. |
