发明名称 OLED器件的封装方法
摘要 本发明提供一种OLED器件的封装方法,采用倾斜角沉积技术,先使掩膜板的下表面与基板的上表面保持第一距离,以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角形成覆盖所述OLED器件的第一阻挡层,之后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面保持小于第一距离的第二距离,以掩膜板为遮挡并以小于第一角度的第二角度为沉积角在第一阻挡层上形成缓冲层,然后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面再次保持第一距离,以掩膜板为遮挡并再次以第一角度为沉积角在第一阻挡层及缓冲层上形成覆盖所述缓冲层的第二阻挡层,能够使每一阻挡层完全覆盖其下方的缓冲层,防止水氧从缓冲层的边缘侵入OLED器件,同时在封装的过程中无需更换掩膜板,操作简单,产品的可靠性高。
申请公布号 CN106374057A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201611093702.4 申请日期 2016.11.30
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 史婷;李文杰
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种OLED器件的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(10),在所述基板(10)上形成OLED器件(20);步骤2、提供一掩膜板(30);步骤3、将掩膜板(30)设于基板(10)上方,使掩膜板(30)的下表面与基板(10)的上表面保持第一距离(d1),使基板(10)绕其法线旋转,以掩膜板(30)为遮挡并以第一角度(θ1)为沉积角在基板(10)及OLED器件(20)上沉积无机材料,形成覆盖所述OLED器件(20)的第一阻挡层(41);步骤4、调整掩膜板(30)的位置,使掩膜板(30)的下表面与第一阻挡层(41)的上表面保持第二距离(d2),保持基板(10)绕其法线旋转,以掩膜板(30)为遮挡并以第二角度(θ2)为沉积角在第一阻挡层(41)上沉积有机材料,形成缓冲层(42);第一距离(d1)大于第二距离(d2),第一角度(θ1)大于第二角度(θ2);步骤5、调整掩膜板(30)的位置,使掩膜板(30)的下表面与第一阻挡层(41)的上表面保持第一距离(d1),保持基板(10)绕其法线旋转,以掩膜板(30)为遮挡并以第一角度(θ1)为沉积角在第一阻挡层(41)及缓冲层(42)上沉积无机材料,形成覆盖所述缓冲层(42)的第二阻挡层(43)。
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