| 摘要 |
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 하부 파이프 게이트; 상기 하부 게이트에 평행한 제1 수평부, 및 상기 제1 수평부로부터 상기 하부 파이프 게이트에 접촉되도록 연장되고 파이프 채널 영역을 구획하며 서로 교차하는 제1 및 제2 돌출부들을 갖는 상부 파이프 게이트; 상기 파이프 채널 영역을 외곽의 제1 파이프 채널 영역 및 중심부의 제2 파이프 채널 영역으로 분리하며 상기 하부 파이프 게이트와 상기 상부 파이프 게이트 사이에 배치된 분리 파이프 게이트; 및 상기 제1 파이프 채널 영역 및 상기 제2 파이프 채널 영역에 각각 배치된 제1 및 제2 파이프 채널막을 포함할 수 있다. |
