发明名称 一种基于忆阻器的非易失查找表
摘要 一种基于忆阻器的非易失查找表,包括:使用9T2R非易失存储单元ReSRAM(Resistive-SRAM)作为编程点替代SRAM-FPGA中的SRAM,使之在兼容传统SRAM-FPGA电路架构的同时具备非易失性的特点;沿用传统SRAM-FPGA的查找表的电路结构,经过改进后使之成为掉电非易失的阻变型非易失查找表ReLUT;本发明的非易失查找表可以被配置成函数发生器模式、RAM模式、移位寄存器模式三种不同的模式;在兼容不同的CMOS工艺的同时,且无需引入高压器件,大大地节约了生产成本。
申请公布号 CN106373607A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201510430813.9 申请日期 2015.07.22
申请人 龚小云 发明人 龚小云
分类号 G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于忆阻器的非易失查找表,包括:阻变非易失存储块、写译码器和读译码器;阻变非易失存储块由16个阻变非易失存储单元ReSRAM构成,并且能够在配置时被同一配置帧配置;写译码器在RAM模式时用来选中16个存储单元中的某一个以将数据写入;读译码器用来选中16个存储单元的某一个作为数据输出。
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