发明名称 一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用
摘要 本发明提供了一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用。与现有技术相比。本发明提供的制备方法产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性好。所制备出的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列生长在碳布上,可直接作为超级电容器的电极材料,实现了长的循环稳定性、大的具体电容、高的能量密度和功率密度,在能量存储方面具有潜在的应用价值。
申请公布号 CN106373785A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201610850406.8 申请日期 2016.09.26
申请人 安徽师范大学 发明人 张小俊;付阳
分类号 H01G11/24(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01G11/32(2013.01)I;H01G11/46(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I 主分类号 H01G11/24(2013.01)I
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人 任晨晨
主权项 一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将镍源、钴源、十六烷基三甲基溴化铵和尿素按混合于二次蒸馏水中,混合均匀,得到混合液,将混合溶液置于反应釜中,将清洗后的碳布浸入混合液中,密闭反应釜,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥、煅烧,即得生长在碳布上的钴酸镍纳米线阵列;(2)将生长在碳布上的钴酸镍纳米线阵列置于高锰酸钾溶液中,置于反应釜中,密封,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥、煅烧,即得基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列。
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