| 摘要 |
【課題】残留応力層Ｌ３を含む表面変質層ＬＣの深さを測定する。【解決手段】表面変質層深さ測定方法は、第１測定工程（ステップＳ１０５）、第１研削工程（ステップＳ１０７）、第２測定工程（ステップＳ１０９）、及び、深さ測定工程（ステップＳ１１１〜ステップＳ１１５）を含む。第１測定工程では、半導体ウエハＷの反りＣ１を測定する。第１研削工程において、第１測定工程の後に、半導体ウエハＷの被研削面Ｗａを予め設定された所定番手よりも細かい第１番手の砥石で、予め設定された所定深さ研削する。第２測定工程において、第１研削工程の後の半導体ウエハＷの反りＣ２を測定する。深さ測定工程において、第１測定工程及び第２測定工程で測定された反りＣ１、Ｃ２、及び、第１研削工程で研削された研削深さに基づいて、表面変質層ＬＣの深さＤＡを求める。【選択図】図５ |
