硅片正面保护方法

摘要

本发明公开了一种硅片保护的方法，包括以下步骤，提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；制备一光刻胶将硅片正面区域完全覆盖；刻蚀去除部分光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面的开口上方的剩余光刻胶覆盖；对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。本发明在进行硅片背面腐蚀工艺中，可很好的将沟槽予以密封，进而在进行背面腐蚀时不会对硅片正面造成损伤，同时去除后也不会在沟槽内形成残余物，不影响后续的沟槽或通孔的填充工艺，提高了产品良率及器件性能。

主权项

一种硅片正面保护方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；制备一光刻胶将所述硅片正面完全覆盖；刻蚀去除部分所述光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面及开口上方的剩余光刻胶予以覆盖；对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶；其中，所述光刻胶为具备盖孔能力的干膜。