| 摘要 |
광 검출 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 질화물계 반도체를 포함하는 기저층; 상기 기저층 상에 위치하며, 0.9 이상의 Al을 포함하는 질화물계 반도체를 포함하는 제1 질화물층; 상기 제1 질화물층 상에 위치하며, 상기 제1 질화물층보다 낮은 Al 조성비를 갖는 질화물계 반도체를 포함하는 제2 질화물층; 상기 제2 질화물층 상에 위치하며, Al을 포함하는 질화물계 반도체를 포함하는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 위치하는 쇼트키 접합층을 포함하고, 상기 제1 질화물층은 상부에 형성된 적어도 하나의 피트를 포함하고, 상기 제2 질화물층은 상기 적어도 하나의 피트를 메운다. |
