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一种绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构，其特征在于该测试结构由两部分组成：包括用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁(102)和扭转结构(101)；所述用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁(102)由第一锚区(102‑2)、第二锚区(102‑4)和一个宽短梁(102‑3)连接而成，其中该两个锚区分别位于由厚膜硅制作的第一支撑孤岛(102‑1)、第二支撑孤岛(102‑5)上，第一支撑孤岛(102‑1)、第二支撑孤岛(102‑5)通过绝缘衬底上厚膜硅材料的二氧化硅绝缘层(100‑2)固定在大衬底(100‑1)上；所述扭转结构(101)由静电驱动的扭转杆和左右两个限位结构组成，扭转结构(101)被位于中心的扭转梁(101‑8)分为左右两部分，左右两部分的结构以扭转梁(101‑8)的中心原点对称；其中，静电驱动的扭转杆包括第一静电驱动电极(101‑2)、第二静电驱动电极(101‑3)和水平凸凹梁，水平凸凹梁由五段水平梁连接而成，自左向右分别为第一水平直梁(101‑6)、第二水平直梁(101‑7)、扭转梁(101‑8)、第三水平直梁(101‑9)和第四水平直梁(101‑10)，在五段水平梁中，第一水平直梁(101‑6)、扭转梁(101‑8)和第四水平直梁(101‑10)厚度相同，均为绝缘衬底上的厚膜硅的硅层厚度；第二水平直梁(101‑7)、第三水平直梁(101‑9)厚度相同，厚度小于绝缘衬底上的厚膜硅的硅层厚度，其厚度差为扭转梁(101‑8)的设计厚度，五段水平梁的下平面在同一平面上，所有梁的宽度相同；上下两个静电驱动电极即第一静电驱动电极(101‑2)、第二静电驱动电极(101‑3)分别位于第一水平直梁(101‑6)的左下端和第四水平直梁(101‑10)的右上端，从扭转杆的中心到第一静电驱动电极(101‑2)、第二静电驱动电极(101‑3)的水平中分线的长度为L1；限位结构由第五水平直梁(101‑5)、第六水平直梁(101‑11)和第一止挡块(101‑1)、第二止挡块(101‑4)构成，左边限位结构的第五水平直梁(101‑5)右端连接到第一水平直梁(101‑6)的左端，两个梁的上边界平齐，第一止挡块(101‑1)位于第五水平直梁(101‑5)左端下方；右边限位结构的第六水平直梁(101‑11)左端连接到第四水平直梁(101‑10)的右端，两个梁的下边界平齐，第二止挡块(101‑4)位于第六水平直梁(101‑11)右端上方；从第一静电驱动电极(101‑2)、第二静电驱动电极(101‑3)的水平中分线到第五水平直梁(101‑5)、第六水平直梁(101‑11)末端的长度为L2；第一静电驱动电极(101‑2)的左边线与第一水平直梁(101‑6)的左边线对齐，第二静电驱动电极(101‑3)的右边线与第四水平直梁(101‑10)的右边线对齐；扭转结构中的扭转梁(101‑8)的上端面垂直连接到多晶硅固支梁(102)的中心位置，形成悬挂‑扭转结构。 |
