发明名称 処理装置、噴射処理方法および電極材料の製造方法
摘要 本発明は、主室(11)の内部にガスを噴射する処理部(10)と、主室(11)の内部および外部の双方に連通するシール室(13,14)と、主室(11)および/またはシール室(13,14)の内部を排気する排気部(15)と、シール室(13,14)の内部の圧力と第1の基準圧力との第1の差圧を制御する制御部(17)とを備える処理装置において、排気部(15)は、シール室(13,14)の内部を排気する第1排気系統(150)を有し、制御部(17)は、主室(11)の内部に噴射されるガスの量の増加に応じて動作モードを、第1の差圧に基づくフィードバック制御をして第1排気系統(150)を動作させる第1モードから、第1の差圧に基づくフィードバック制御とは異なる制御をして第1排気系統(150)を動作させる第2モードに移行させるものである。当該構成により、処理部により短時間に大量のガスが噴射されても、主室からのガスの流出及び主室内への外気の流入を抑制することができる。
申请公布号 JPWO2014119735(A1) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20140559776 申请日期 2014.01.31
申请人 株式会社ニコン 发明人 関本 達也;飯坂 順一
分类号 B01J19/00;C23C14/54;C23C24/04;H01M4/04;H01M4/139 主分类号 B01J19/00
代理机构 代理人
主权项
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