| 摘要 |
【課題】他の特性の低下を回避しながら電流の集中を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体層１０２と、化合物半導体層１０２と直接接触する一対のオーミック電極１０５と、一対のオーミック電極１０５の間で化合物半導体層１０２上方に形成されたゲート電極１０７と、一対のオーミック電極１０５の少なくとも一方の一部と化合物半導体層１０２との間に形成されたｎ型のＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）の化合物半導体層１０３と、が含まれる。一対のオーミック電極１０５のうちで化合物半導体層１０２との間に化合物半導体層１０３が形成されているものは、ゲート電極１０７側の端部の下面で化合物半導体層１０２に第１のコンタクト抵抗で直接接触し、ゲート電極１０７側の端部から離間した部分の下面で化合物半導体層１０３に第１のコンタクト抵抗よりも低い第２のコンタクト抵抗で直接接触する。【選択図】図１ |
