摘要 |
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと第2のトランジスタを有し、第1のトランジスタと第2のトランジスタとは少なくとも一部が重畳する第1のメモリセルと、第3のトランジスタと第4のトランジスタを有し、第3のトランジスタと第4のトランジスタとは少なくとも一部が重畳する第2のメモリセルと、駆動回路と、を有し、第2のメモリセルは、第1のメモリセル上に設けられ、第1のトランジスタは、第1の半導体材料を含んで構成され、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、および第4のトランジスタ、は、第2の半導体材料を含んで構成される半導体装置である。【選択図】図1 |