摘要 |
【課題】半導体装置の駆動方法を提供する。【解決手段】ビット線と、選択線と、選択トランジスタと、m(mは2以上の自然数)本の書き込みワード線と、m本の読み出しワード線と、ソース線と、第1乃至mのメモリセルと、を有する半導体装置において、メモリセルは、第1のトランジスタ、容量素子に蓄積された電荷を保持する第2のトランジスタを含み、第2のトランジスタは酸化物半導体層で形成されるチャネルを有する。上記構成の半導体装置の駆動方法において、メモリセルに書き込みを行う場合、第1のトランジスタを導通させて第1のソース端子または第1のドレイン端子を固定電位とし、容量素子に安定した電位の書き込みを行う。【選択図】図1 |