| 摘要 |
【課題】 複雑な工程を必要とせず簡便な方法で、一の半導体基板の異なる箇所にｎ型拡散層及びｐ型拡散層を同時に拡散させｎ型拡散層及びｐ型拡散層を有する半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上の少なくとも一部に、アクセプター元素を含むガラス粒子及び分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱処理によって、アクセプター元素を含むガラス粒子を軟化する工程と、ドナー元素を含むガラス粒子及び分散媒を含有するｎ型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱処理によって、アクセプター元素とドナー元素を拡散させてｐ型拡散層及びｎ型拡散層を形成する工程と、を含む、拡散層を有する半導体基板の製造方法。ｐ型拡散層形成組成物を、ｎ型拡散層形成組成物に代えてもよい。【選択図】 図１ |
