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Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat, umfassend: ein Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat mit einer ersten Hauptfläche; und eine Siliziumkarbidschicht auf der ersten Hauptfläche, wobei die Siliziumkarbidschicht eine zweite Hauptfläche gegenüber einer Fläche derselben aufweist, die in Kontakt mit dem Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat steht, die zweite Hauptfläche einen Höchstdurchmesser von nicht weniger als 100 mm aufweist, die zweite Hauptfläche ein Umfangsgebiet innerhalb von 5 mm von einer Außenkante der zweiten Hauptfläche und ein mittleres Gebiet, das von dem Umfangsgebiet umgeben ist, aufweist, die Siliziumkarbidschicht eine mittlere Oberflächenschicht aufweist, die das mittlere Gebiet enthält, ein Durchschnittswert einer Ladungsträgerkonzentration in der mittleren Oberflächenschicht nicht weniger als 1 × 1014 cm–3 und nicht mehr als 5 × 1016 cm–3 beträgt, die Umfangsgleichmäßigkeit der Ladungsträgerkonzentration nicht mehr als 2% beträgt und die Gleichmäßigkeit der Ladungsträgerkonzentration in der Ebene nicht mehr als 10% beträgt, ein Durchschnittswert einer Dicke eines Abschnitts der Siliziumkarbidschicht, die zwischen dem mittleren Gebiet und dem Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat angeordnet ist, nicht weniger als 5 μm beträgt, die Umfangsgleichmäßigkeit der Dicke nicht mehr als 1% beträgt, und die Gleichmäßigkeit der Dicke in der Ebene nicht mehr als 4% beträgt, die Umfangsgleichmäßigkeit der Ladungsträgerkonzentration ein Verhältnis eines Absolutwerts einer Differenz zwischen einem Höchstwert und einem Mindestwert der Ladungsträgerkonzentration in der mittleren Oberflächenschicht in einer Umfangsrichtung zu einem Durchschnittswert der Ladungsträgerkonzentration in der mittleren Oberflächenschicht in Umfangsrichtung ist, die Gleichmäßigkeit der Ladungsträgerkonzentration in der Ebene ein Verhältnis eines Absolutwerts einer Differenz zwischen einem Höchstwert und einem Mindestwert der Ladungsträgerkonzentration in der mittleren Oberflächenschicht im gesamten mittleren Gebiet zu einem Durchschnittswert der Ladungsträgerkonzentration in der mittleren Oberflächenschicht im gesamten mittleren Gebiet ist, die Umfangsgleichmäßigkeit der Dicke ein Verhältnis eines Absolutwerts einer Differenz zwischen einem Höchstwert und einem Mindestwert der Dicke des Abschnitts in der Umfangsrichtung zu einem Durchschnittswert der Dicke des Abschnitts in der Umfangsrichtung ist, die Gleichmäßigkeit der Dicke in der Ebene ein Verhältnis eines Absolutwerts einer Differenz zwischen einem Höchstwert und einem Mindestwert der Dicke des Abschnitts in dem gesamten mittleren Gebiet zu einem Durchschnittswert der Dicke des Abschnitts in dem gesamten mittleren Gebiet ist. |
