| 发明名称 | 横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件 | ||
| 摘要 | 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P<sup>+</sup>区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106356313A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610972493.4 | 申请日期 | 2016.11.04 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;杨翰琪;薛颖;叶然;魏家行;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法，包括沟道区和鸟嘴区电荷泵电流的测试，其特征为，还包括多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，所述多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试采用以下方法：先在同一晶圆上目标器件旁边制造辅助5端口器件，所述辅助5端口器件是在传统横向绝缘栅双极型晶体管的N型缓冲区(14)内设置电荷泵电子提供区(17)；再进行系统搭建，将辅助5端口器件阴极N<sup>+</sup>区(6)与电荷泵电子提供区(17)短接，在辅助5端口器件P型体区(4)与电荷泵电子提供区(17)之间提供反向偏置电压，栅电极(19)用于外接加载脉冲电压，最后进行多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试操作：在栅电极(19)上加载脉冲电压，使场板下方N型漂移区(3)在积累状态与反型状态之间切换，当N型漂移区(3)处于积累状态，若此时沟道开启，阴极N<sup>+</sup>区(6)中的电子将通过沟道流入到多晶硅栅场板区及场板末端区，电荷泵电子提供区(17)中的电子将流经N型缓冲区(14)和N型漂移区(3)流入到多晶硅栅场板区及场板末端区，若此时沟道区无法开启，则电荷泵电子提供区(17)单独为多晶硅栅场板区及场板末端区的电荷泵测试提供所需电子，两种情况下均有一部分电子会被多晶硅栅场板区及场板末端区界面态俘获；当N型漂移区(3)处于反型状态，若此时沟道为开启状态，多晶硅栅场板区及场板末端区的可动电子在反偏电压的作用下漂回到阴极N<sup>+</sup>区(6)和电荷泵电子提供区(17)，若此时沟道为关闭状态，则多晶硅栅场板区及场板末端区的可动电子在反偏电压的作用下漂回到电荷泵电子提供区(17)，随后，陷落在多晶硅栅场板区及场板末端区界面态中的电子将与来自P型体区(4)的空穴复合，产生电荷泵电流，由此得到辅助5端口器件多晶硅栅场板区和场板末端区的界面态，所测得的辅助5端口器件多晶硅栅场板区和场板末端区的界面态即为目标器件多晶硅栅场板区和场板末端区的界面态。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 | ||