| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有第一键合材料层；步骤S2：图案化所述第一键合材料层，以在所述第一键合材料层中形成若干开口，露出所述底部晶圆；步骤S3：沉积第二键合材料层填充所述开口，其中所述第二键合材料层与所述第一键合材料层具有不同的平坦化去除速度；步骤S4：图案化所述底部晶圆，以形成目标图案，其中所述第二键合材料层位于所述目标图案的边缘；步骤S5：执行平坦化步骤；步骤S6：与顶部晶圆键合。本发明的优点在于：1、提高了CMP的效果，增加了键合的质量。2、解决生产过程中出现的问题，提高了产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106348245A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201510437189.5 | 申请日期 | 2015.07.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 郑超 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有第一键合材料层；步骤S2：图案化所述第一键合材料层，以在所述第一键合材料层中形成若干开口，露出所述底部晶圆；步骤S3：沉积第二键合材料层填充所述开口，其中所述第二键合材料层与所述第一键合材料层具有不同的平坦化去除速度；步骤S4：图案化所述底部晶圆，以形成目标图案，其中所述第二键合材料层位于所述目标图案的边缘；步骤S5：执行平坦化步骤；步骤S6：与顶部晶圆键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||