| 发明名称 | 具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法；该发光二极管结构自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源层和P型GaN导电层；其中，应力释放层由InGaN势阱层和GaN势垒层交替组成；应力释放层的InGaN势阱层的单层厚度为3.4‑2.6nm；从下到上厚度逐渐降低；应力释放层的GaN势垒层的单层厚度为10‑16nm。本发明采用组分和厚度渐变应力释放层来减小多量子阱有源区的应力和缺陷密度，提高多量子阱的内量子效率和发光二极管的发光强度。 | ||
| 申请公布号 | CN106356433A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610900195.4 | 申请日期 | 2016.10.14 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 周泉斌;徐明升;王洪 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 罗观祥 |
| 主权项 | 具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构，其特征在于，自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源层和P型GaN导电层；其中，应力释放层由InGaN势阱层和GaN势垒层交替组成；多量子阱有源层由InGaN势阱层和GaN势垒层交替组成，其InGaN势阱层的厚度保持不变；应力释放层的InGaN势阱层的单层厚度为3.4‑2.6nm；从下到上厚度逐渐降低；应力释放层的GaN势垒层的单层厚度为10‑16nm。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||