一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与垂直沟道区之间分别设有栅介质层，在垂直沟道区的上方设有隧穿源区，隧穿源区与沟道区之间设有一嵌入层，嵌入层的厚度小于隧穿结处空间电荷区宽度，在隧穿源区与嵌入层的交界面处形成错层型异质结，在嵌入层与沟道区的交界面处形成交错型异质结。与现有的TFET相比，本发明不仅显著增大了器件开态电流，同时保持了较低的关态电流。

主权项

一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管，包括半导体衬底、隧穿源区、嵌入层、垂直沟道区、漏区、栅介质层及控制栅，其特征在于，在垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与垂直沟道区之间分别设有栅介质层，在垂直沟道区的上方设有隧穿源区，隧穿源区与沟道区之间设有一嵌入层，嵌入层的厚度小于隧穿结处空间电荷区宽度，在隧穿源区与嵌入层的交界面处形成错层型异质结，在嵌入层与沟道区的交界面处形成交错型异质结。