- FORMING METHOD OF SILICON-CONTAINING THIN FILM

摘要

본원은 SiCl(이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)로서 표시되는 클로로실란 화합물을 사용하여 실리콘-함유 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 약 560℃ 이하의 낮은 온도에서 암모니아 기체를 사용한 원자층 증착법에 의하여 종횡비가 큰 요철이 있는 표면에 균일한 두께로 품질이 우수한 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 있다.