用于半导体激光器与TriPleX波导耦合的耦合结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种用于半导体激光器与TriPleX波导耦合的耦合结构及制备方法，所述结构包括Si基底，所述Si基底上依次设有SiO₂层、耦合层和SiO₂覆层；其中，所述耦合层由反向对接的第一直角楔形结构和第二直角楔形结构组成；所述第一直角楔形结构，由Si₃N₄层组成；所述第二直角楔形结构，由Si₃N₄上层、SiO₂中间层和Si₃N₄下层组成；所述第一直角楔形结构作为半导体激光器的入射端；所述第二直角楔形结构连接TriPleX双条形波导。本发明解决了半导体激光器与TriPleX双条形波导直接耦合存在较大损耗的问题。

主权项

一种用于半导体激光器与TriPleX波导耦合的耦合结构，其特征在于，所述耦合结构包括Si基底，所述Si基底上依次设有SiO₂层、耦合层和SiO₂覆层；其中，所述耦合层由反向对接的第一直角楔形结构和第二直角楔形结构组成；所述第一直角楔形结构作为半导体激光器的入射端；所述第二直角楔形结构连接TriPleX双条形波导；所述第一直角楔形结构，由Si₃N₄层组成；所述第一直角楔形结构的厚度为170nm，长度为L₁μm，宽度在长度为0到L₁μm的范围内，由4.8μm均匀渐变到0，其中，30μm≤L₁≤150μm；所述第二直角楔形结构，由Si₃N₄上层、SiO₂中间层和Si₃N₄下层组成；所述Si₃N₄上层和所述Si₃N₄下层的厚度均为170nm，所述SiO₂中间层的厚度为500nm；所述第二直角楔形结构的长度为L₂μm，宽度在长度为0到L₂μm的范围内，由0均匀渐变到与所述第二直角楔形结构连接的TriPleX双条形波导相同的宽度，其中，10μm≤L₂≤100μm；所述第一直角楔形结构的长直角边和所述第二直角楔形结构的长直角边相邻接，所述第二直角楔形结构宽度为0的一端与所述第一直角楔形结构宽度为4.8μm的一端相距L₃，其中，3μm≤L₃≤43μm。