用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法

摘要

本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。

主权项

一种用来在基板上形成磁隧道结结构的膜堆叠体，所述膜堆叠体包括：钉扎层，所述钉扎层设置在基板上，其中所述钉扎层包括多个层，所述多个层包括含Co层、含Pt层、含Ta层、含Ru层中的至少一个或多个；可选的结构去耦合层，所述可选的结构去耦合层设置在磁钉扎层上；磁基准层，所述磁基准层设置在所述可选的结构去耦合层上；隧穿阻挡层，所述隧穿阻挡层设置在所述磁基准层上；磁存储层，所述磁存储层设置在所述隧穿阻挡层上；以及帽盖层，所述帽盖层设置在所述磁存储层上。