发明名称 SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM
摘要 홀의 상면 형상을 고르게 하여 선조흔을 없애고, 밑바닥 형상에 일그러짐이 없고, 또한, 보잉 형상의 발생을 방지하여 양호한 수직 가공 형상의 홀을 처리 대상층에 형성할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 처리 가스로서 CF가스, CHF가스 및 CF가스를 함유하는 혼합 가스를 이용하여, 처리압력 100mTorr(1.33×10Pa)∼150mTorr(2.0×10Pa)로 중간층으로서의 BARC막(53)을 에칭하고, 이어서, 처리 가스로서 COS가스 함유 가스를 이용하여 하층 레지스트층으로서의 ACL(52)을 에칭하고, 그 후, 처리 가스로서 CF가스 함유 가스를 이용하여 처리 대상층으로서의 산화막(51)을 에칭한다.
申请公布号 KR101699547(B1) 申请公布日期 2017.01.24
申请号 KR20090131013 申请日期 2009.12.24
申请人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 发明人 이 성태;오가사와라 마사히로;이토 마사히로
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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