发明名称 RESIST-MODIFYING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
摘要 본 발명은 1) 산의 작용으로 알칼리 용해성이 증가하는 반복 단위와 락톤 구조 함유 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 포함하는 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 제1 레지스트막을 형성하고, 가열 처리 후에 노광하고, 가열 처리 후에 알칼리 현상하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 2) 제1 레지스트 패턴 상에 레지스트 변성용 조성물을 도포하고, 가열하여 변성 처리를 행하는 공정, 3) 그 위에 제2 포지티브형 레지스트 재료를 도포하고, 가열 처리 후에 노광하고, 가열 처리 후에 알칼리 현상하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정 을 포함하는 패턴 형성 방법에 사용되는 레지스트 변성용 조성물로서, 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 베이스 수지와 알코올계 용제를 포함한다.(A은 에테르기 함유 가능한 알킬렌기이고, R은 H 또는 메틸기이고, R는 알킬기, 또는 서로 결합하여 질소 원자 함유 헤테로환을 형성할 수도 있음) 본 발명에 따르면, 제1 패턴의 충분한 불활성화, 제2 패터닝 후의 유지가 가능해져, 2회의 노광과 1회의 드라이 에칭으로 기판을 가공하는 더블 패터닝 공정이 가능하다.
申请公布号 KR101699077(B1) 申请公布日期 2017.01.23
申请号 KR20100047812 申请日期 2010.05.24
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 와따나베, 다께루;가따야마, 가즈히로;이이오, 마사시;하따께야마, 준;니시, 츠네히로;긴쇼, 다께시
分类号 G03F7/039;G03F7/004;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
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