| 摘要 |
본 발명은, 다른 특성의 반도체 소자를 일체로 가지면서, 고집적화를 실현할 수 있는 새로운 구성의 반도체 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 제 1 반도체 재료가 이용된 제 1 채널 형성 영역과, 제 1 게이트 전극을 포함하는 제 1 트랜지스터와, 제 1 게이트 전극과 일체로 형성된 제 2 소스 전극 및 제 2 드레인 전극의 한쪽과, 제 2 반도체 재료가 이용되고, 제 2 소스 전극 및 제 2 드레인 전극과 전기적으로 접속된 제 2 채널 형성 영역을 포함하는 제 2 트랜지스터를 구비한 반도체 장치이다. |
