| 摘要 |
본 발명은, 산화물 반도체층을 채널층으로서 적용하는 트랜지스터에 있어서, 특성의 변동을 저감함과 아울러, 산화물 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층과의 콘택 저항을 저감하는 것을 과제로 한다. 채널층을 산화물 반도체로 설치하는 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층의 영역 중, 소스 전극층과 드레인 전극층의 사이에 위치해 채널이 형성되는 영역을 적어도 비정질구조로 설치하고, 소스 전극층 및 드레인 전극층 등의 외부와 전기적으로 접속하는 영역을 결정구조로 설치한다. |
