| 摘要 |
【課題】飽和電流が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体層の表面から深部に向けて伸びるトレンチゲート部３２を備えている。半導体層２０は、トレンチゲート部３２に囲まれる島領域４０を有している。島領域４０には、トレンチゲート部３２の第１側面３２ａと、トレンチゲート部３２の第２側面３２ｂが接している。島領域４０には、第１側面３２ａに接している第１コンタクト領域１４ａと、第２側面３２ｂに接している第２コンタクト領域１４ｂを含む第１導電型コンタクト領域１４が設けられている。また、島領域４０には、第１コンタクト領域１４ａと第２コンタクト領域１４ｂの間でトレンチゲート部３２に接している第２導電型コンタクト領域１２が設けられている。【選択図】図２ |
