| 摘要 |
【課題】電極の劣化を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の第１半導体領域、第２導電形の第２半導体領域、第１電極、半絶縁層、および絶縁層を有する。第１半導体領域は、第１領域と、第１領域の周りに設けられた第２領域と、を有する。第２半導体領域は、第１半導体領域の第１領域の上に設けられている。第１電極は金属を含み、第２半導体領域の上に設けられている。半絶縁層は、第２領域の上に設けられている。半絶縁層の一部は、第１電極の上に位置する。絶縁層の少なくとも一部は、半絶縁層と第１電極との間に設けられている。【選択図】図２ |
