| 摘要 |
電流遮断時のコレクタ電圧波形における不連続性を抑制可能な技術を提供することを目的とする。電力用半導体装置は、ｎ型ベース領域１と、ｎ型ベース領域１上に形成されたｐ型ベース領域２と、ｐ型ベース領域２上に交互に隣接して形成された、ｎ型エミッタ領域３、及び、ｐ型コンタクト領域４とを備える。また、電力用半導体装置は、各ｎ型エミッタ領域３の表面からｎ型ベース領域１まで貫通する溝に、ゲート絶縁膜５を介して埋め込み形成された複数のトレンチゲート電極６と、トレンチゲート電極６間に位置する予め定められたピッチごとのｎ型エミッタ領域３ａ及びｐ型コンタクト領域４ａを除いて、各ｎ型エミッタ領域３ｂ及び各ｐ型コンタクト領域４ｂと接続されたエミッタ電極８とを備える。 |
