| 摘要 |
【課題】絶縁材料層にガラスクロスや不織布等の補強繊維を含まない、金属薄膜配線層のファイン化、金属ビアの小径化、及び層間厚の薄化を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００は補強繊維を含まない絶縁材料１１４ｂによって封止された１つないし複数の半導体素子１０７ａ、１０７ｂと、複数の金属薄膜配線層１０２と、金属薄膜配線層１０２間、及び、半導体素子１０７ａ、１０７ｂの電極１０６と金属薄膜配線層１０２とを電気的に接続する金属ビア１０９と、を含む絶縁材料層１０１、１０８と、絶縁材料層１０１、１０８の一方の主面側に配置され、絶縁材料層１０１、１０８の反りを相殺して、半導体装置の反りを低減する反り調整層１２３と、を備える。【選択図】図１ |
