| 摘要 |
【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】バックゲート電極を有する読み出し用トランジスタと、書き込み用トランジスタと、を有する多値型メモリセルを用いる。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードに、情報に応じた電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定の電位を保持させる。情報の読み出しは、読み出し用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された制御信号線に、読み出し制御電位を供給し、その後、読み出し信号線の電位変化を検出することで行う。【選択図】図１ |
