| 摘要 |
【課題】電界効果移動度の高い新たな半導体デバイス、および電界効果移動度の高い半導体デバイスを比較的簡便に製造することのできる製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極２と、ゲート電極２の直下領域または直上領域に配置されるチャネル層７と、チャネル層７に接して配置されるソース電極５およびドレイン電極６と、ゲート電極２とチャネル層７との間に配置される第１絶縁層３とを含み、チャネル層７は第１酸化物半導体を含み、ソース電極５およびドレイン電極６の少なくとも一方は第２酸化物半導体を含み、第１酸化物半導体および第２酸化物半導体は、インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する半導体デバイス、ならびにその製造方法が提供される。【選択図】図２ |
