スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法

摘要

インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及びマグネシウム元素（Ｍｇ）を含有する酸化物からなり、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは０．１〜２０）で表されるホモロガス構造化合物、及びＺｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。