发明名称 ADJUSTMENT METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD
摘要 본 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치의 조정 방법은, 하전 입자 빔 묘화 장치에 설정되는 빔 사이즈의 오프셋량을 구하는 것이다. 이 방법은, 소정 치수의 빔 분할수를 세팅하고, 분할한 빔을 사용하여 묘화를 행하고, 기판 상에 라인 형상의 평가 패턴을 형성하고, 상기 평가 패턴의 선폭의 설계 치수로부터의 변화량을 분할수마다 구하여, 분할수마다의 상기 변화량에, 하전 입자 빔이 부여하는 에너지의 분포에 기초하는 선폭의 모델 함수를 피팅하고, 상기 오프셋량을 산출하는 것이다.
申请公布号 KR20170007118(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20160080658 申请日期 2016.06.28
申请人 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 发明人 나카무라 다카시;니시무라 리에코
分类号 G03F1/20;G03F1/44;G03F7/20 主分类号 G03F1/20
代理机构 代理人
主权项
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