发明名称 能够提升记忆体效能的方法和相关的记忆体系统
摘要 本发明揭露一种能够提升记忆体效能的方法和相关的记忆体系统,应用于该方法的记忆体系统包含一记忆体和一控制器,且该记忆体内的一预留空间是用以储存一逻辑位置/实体区块映射表。该方法包含该控制器保留该记忆体的多个实体区块为一写入缓冲区;当多个数据被写入该记忆体时,该控制器根据该逻辑位置/实体区块映射表,对该多个数据和该写入缓冲区执行一宽度写入操作或一深度写入操作。该逻辑位置/实体区块映射表包含该多个实体区块与多个逻辑位置之间的对应关系。
申请公布号 CN103544120B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201310409559.5 申请日期 2013.09.10
申请人 钰创科技股份有限公司 发明人 王开屏;王忠胜
分类号 G06F3/06(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;常大军
主权项 一种能够提升记忆体效能的方法,其中应用于该方法的一记忆体系统包含一记忆体和一控制器,且该记忆体内的一预留空间是用以储存一逻辑位置/实体区块映射表,其特征在于,该方法包含:该控制器保留该记忆体的多个实体区块为一写入缓冲区,其中该逻辑位置/实体区块映射表包含该多个实体区块与多个逻辑位置之间的对应关系;及当多个数据被写入该记忆体时,该控制器根据该逻辑位置/实体区块映射表,对该多个数据和该写入缓冲区执行一宽度写入操作或一深度写入操作;其中,该记忆体是一快闪记忆体或一与非门快闪记忆体;当该多个数据被写入该记忆体时,该控制器根据该逻辑位置/实体区块映射表,对该多个数据和该写入缓冲区执行该宽度写入操作包含:该控制器根据该逻辑位置/实体区块映射表,同时写入该多个数据至该写入缓冲区内的多个分别对应不同逻辑位置的实体区块;其中当该控制器根据该逻辑位置/实体区块映射表,对该多个数据和该写入缓冲区执行该宽度写入操作时,该控制器对对应于一第一逻辑位置的储存旧数据的多个第一实体区块与储存新数据的多个第二实体区块不执行一区块合并操作直到该逻辑位置/实体区块映射表已使用完毕或该写入缓冲区没有能够利用的实体区块。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市科技五路6号