发明名称 SILICON CARBIDE EPI WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要 실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼는 탄화규소 웨이퍼, 상기 탄화규소 웨이퍼 표면 상에 배치되는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 탄화규소 에피 웨이퍼를 포함하고, 상기 버퍼층은 탄소와 규소의 비율이 서로 대응되거나, 탄소보다 규소가 큰 비율이다. 실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼의 제조 방법은 반응로 내에 탄화규소 웨이퍼를 준비하는 단계, 상기 탄화규소 웨이퍼를 표면 처리하는 단계, 상기 탄화규소 웨이퍼 상에 버퍼층을 형성하는 단계 및 상기 버퍼층 상에 탄화규소 에피 웨이퍼를 에피텍셜 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층은 탄소와 규소의 비율이 서로 대응되거나, 탄소보다 규소가 큰 비율이다.
申请公布号 KR20170006799(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20150097990 申请日期 2015.07.09
申请人 엘지이노텍 주식회사 发明人 심지인;김무성;조영득
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/324 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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