发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明公开了一种发光二极管,包括:基板;半导体发光叠层,位于所述基板上,自下而上包含一第一半导体层、有源层及一第二半导体层与该第一半导体层的电性相异;透明导电层,位于所述半导体发光叠层上,具有开口部,第一电极与该第一半导体层电性相连;及第二电极与该第二半导体层电性相连;其中,所述第二电极填充所述开口部,其与所述透明导电层接触的位置具有一凹陷部,并镶嵌在所述透明导电层内。本发明在第二电极形成一凹陷部,使得第二电极镶嵌在透明导电层内,可以使得发光二极管结构在封装过程,增强第二电极与横向推力抗衡,避免在封装打线的过程中发生剥离的情况。 |
申请公布号 |
CN104091874B |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201410308320.3 |
申请日期 |
2014.07.01 |
申请人 |
天津三安光电有限公司 |
发明人 |
王进;卢怡安;吴俊毅;陶青山;王笃祥 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
发光二极管,包括:基板;半导体发光叠层,位于所述基板上,至下而上包含一第一半导体层、有源层及一第二半导体层与该第一半导体层的电性相异;透明导电层,位于所述半导体发光叠层上,具有开口部,所述开口部的部分呈上小下大状;第一电极与该第一半导体层电性相连;及第二电极与该第二半导体层电性相连;其中,所述第二电极填充所述开口部,其与所述透明导电层接触的位置具有一凹陷部,并镶嵌在所述透明导电层内,所述第二电极位于所述开口部内的部分具有倾斜的侧面。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 |