发明名称 APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE
摘要 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 챔버의 내부에 제1 시간 동안 제1 가스를 공급하면서 상기 챔버 내부의 제1 온도 및 제1 압력과 상기 제1 가스의 제1 질량유량을 이용하여 상기 챔버의 챔버용량을 연산하는 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 제2 시간 동안 제2 가스를 공급하면서 상기 챔버 내부의 제2 압력과 상기 제2 가스의 제2 질량유량을 이용하고 상기 챔버용량과 연산하여 상기 챔버 내부의 제2 온도를 연산하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20170006412(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20150096978 申请日期 2015.07.08
申请人 주식회사 유진테크 发明人 현준진;강철구;고형식
分类号 H01L21/66;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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