| 摘要 |
실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층으로부터 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 메사 식각된 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고 오믹층과 본딩층을 포함하는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되고 오믹층과 본딩층을 포함하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극의 측면과 상기 메사 식각된 발광 구조물의 측면에 배치된 패시베이션층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 상기 제1 전극의 본딩층과 컨택하고, 상기 제1 전극의 오믹층과 이격되는 발광소자를 제공한다. |
