一种用于绿光标线仪的808nm半导体激光器结构

摘要

本发明涉及一种用于绿光标线仪的808nm半导体激光器结构，包括自下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、接触层、第一金属电极层，第二上包层与接触层构成脊型结构，在第一上包层未覆盖第二上包层的部分、脊型结构的侧面及接触层未覆盖第一金属电极层的部分分别包覆有介质膜，介质膜上方设置第一金属电极层，衬底下方设置第二金属电极层。本发明保证半导体激光器在满足绿光标线仪功率输出的同时，具有最小的阈值电流。相同功率下的工作电流也会降低。这对于使用电池提供电流的标线仪是非常有益的，既能提高半导体激光器的寿命还能降低电池功耗，增加使用时间。

主权项

一种用于绿光标线仪的808nm半导体激光器结构，其特征在于，包括自下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、接触层、第一金属电极层，所述第二上包层与所述接触层构成脊型结构，在所述第一上包层未覆盖所述第二上包层的部分、所述脊型结构的侧面及所述接触层未覆盖所述第一金属电极层的部分分别包覆有介质膜，所述介质膜上方设置所述第一金属电极层，所述衬底下方设置第二金属电极层。