炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法

摘要

炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素単結晶基板と、炭化珪素層とを有する。炭化珪素層は、炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第２主面を含む。第２主面は、｛０００１｝面がオフ方向に傾斜した面である。第２主面の最大径は、１００ｍｍ以上である。第２主面は、第２主面の外縁から３ｍｍ以内の外周領域と、外周領域に取り囲まれた領域とを有する。領域には、オフ方向に対して垂直な直線に沿って並ぶ第１ハーフループの第１転位列がある。第１ハーフループは、第２主面に露出する一対の貫通刃状転位を含む。領域における第１転位列の面密度は、１０本／ｃｍ２以下である。