| 摘要 |
본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은, 기판을 함유하는 웨이퍼를 정밀도 좋게 분할하는 것을 목적으로 한다. 웨이퍼(1)를 구성하는 기판(10)의 내부에 펄스 레이저광을 집광하여, 기판(10)의 내부에 이격한 복수의 가공부(12)를 분할 예정선을 따라서 형성함과 함께, 가공부(12)로부터 적어도 기판(10)의 표면까지 연장하고, 인접하는 가공부(12)를 연결하는 균열(13)을 발생시키는 레이저 조사 공정과, 분할 예정선을 따라서 웨이퍼(1)를 분할하는 웨이퍼 분할 공정을 갖는 반도체 소자의 제조 방법이다. |
