发明名称 estrutura de flip chip de diodo emissor de luz e método de formação de uma estrutura de flip chip de diodo emissor de luz
摘要 resumo estrutura de flip chip de diodo emissor de luz e método de formação de uma estrutura de flip chip de diodo emissor de luz uma estrutura de diodo emissor de luz (led) possui camadas semicondutoras, que incluem uma camada do tipo p, uma camada ativa e uma camada do tipo n. a camada do tipo p possui uma superfície inferior e a camada do tipo n possui uma superfície superior através da qual é emitida luz. partes da camada do tipo p e da camada ativa são retiradas em seguida por meio de corrosão para expor a camada do tipo n. a superfície do led é padronizada com um fotorresistor e cobre é revestido sobre as superfícies expostas para formar eletrodos p e n em contato elétrico com as suas camadas semicondutoras correspondentes. existe um espaço entre os eletrodos n e p. para fornecer suporte mecânico das camadas semicondutoras entre o espaço, uma camada dielétrica é formada no espaço seguido por enchimento do espaço com metal. o metal é padronizado para formar pinos que cobrem substancialmente a superfície inferior do molde de led, mas não entram em contato com os eletrodos. a cobertura substancialmente uniforme sustenta a camada semicondutora durante etapas de processo subsequentes. 1/1
申请公布号 BR112013029686(A2) 申请公布日期 2017.01.17
申请号 BR20131129686 申请日期 2012.04.25
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS N.V. 发明人 ALEXANDER H. NICKEL;DANIEL ALEXANDER STEIGERWALD;JIPU LEI;STEFANO SCHIAFFINO;YAJUN WEI
分类号 H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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