| 摘要 |
반도체 장치의 특성의 변동를 억제한다. 복수의 배선용 홈을 갖는 제1 절연막 위에 금속 배선으로서의 금속막이 형성된 기판에 대하여 연마하는 연마 공정과, 연마 공정 후, 기판에 제2 절연막을 형성하는 공정과, 제2 절연막을 연마하는 공정과, 연마 공정 후에 제2 절연막의 기판 면 내의 막 두께 분포 데이터를 수신하는 공정과, 막 두께 분포 데이터를 기초로, 연마 후의 제2 절연막 위에 형성하는 제3 절연막의 막 두께 분포를 조정함으로써 상기 연마 후의 제2 절연막과 상기 제3 절연막으로 형성되는 적층 절연막의 막 두께 분포를 보정하는 처리 데이터를 연산하는 공정과, 처리 데이터를 기초로, 기판의 중심측에 생성되는 처리 가스의 활성종의 농도와, 기판의 외주측에 생성되는 처리 가스의 활성종의 농도를 상이하게 하도록 처리 가스를 활성화시켜서 제3 절연막을 형성하여 적층 절연막의 막 두께 분포를 보정하는 공정을 포함한다. |
